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ON Semiconductor - FCP36N60N

KEY Part #: K6397547

FCP36N60N 価格設定（USD） [12020個在庫]

  • 1 pcs$3.14660
  • 10 pcs$2.80946
  • 100 pcs$2.30376
  • 500 pcs$1.86550
  • 1,000 pcs$1.57331
品番:
FCP36N60N
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 36A TO-220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
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発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FCP36N60N electronic components. FCP36N60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCP36N60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCP36N60N 製品の属性

品番 : FCP36N60N
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V 36A TO-220-3
シリーズ : SupreMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 36A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 90 mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 112nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 4785pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 312W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3

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