CSD18511Q5A 価格設定（USD） [166659個在庫]
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- 品番:
- CSD18511Q5A
- メーカー:
- Texas Instruments
- 詳細な説明:
- 40V N CH MOSFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-トライアック and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Texas Instruments CSD18511Q5A electronic components. CSD18511Q5A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD18511Q5A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD18511Q5A 製品の属性
品番 :
CSD18511Q5A
メーカー :
Texas Instruments
説明 :
40V N CH MOSFET
シリーズ :
NexFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
159A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.5 mOhm @ 24A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.45V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
63nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5850pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
104W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-VSONP (5x6)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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