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- 品番:
- FS50R07N2E4BOSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies FS50R07N2E4BOSA1 electronic components. FS50R07N2E4BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS50R07N2E4BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FS50R07N2E4BOSA1 製品の属性
品番 :
FS50R07N2E4BOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
構成 :
Full Bridge Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
70A
パワー-最大 :
190W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
1.95V @ 15V, 50A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
1mA
入力容量（Cies）@ Vce :
3.1nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
Yes
動作温度 :
-40°C ~ 125°C
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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