BSM100GD120DN2BOSA1 価格設定（USD） [383個在庫]
- 1 pcs$121.22283
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSM100GD120DN2BOSA1 electronic components. BSM100GD120DN2BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM100GD120DN2BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSM100GD120DN2BOSA1 製品の属性
品番 :
BSM100GD120DN2BOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
IGBTタイプ :
-
構成 :
Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
150A
パワー-最大 :
680W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
3V @ 15V, 100A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
2mA
入力容量（Cies）@ Vce :
6.5nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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