Infineon Technologies - DF150R12RT4HOSA1

KEY Part #: K6534603

DF150R12RT4HOSA1 価格設定(USD) [1794個在庫]

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品番:
DF150R12RT4HOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE VCES 1200V 150A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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We specialize in Infineon Technologies DF150R12RT4HOSA1 electronic components. DF150R12RT4HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF150R12RT4HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF150R12RT4HOSA1 製品の属性

品番 : DF150R12RT4HOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE VCES 1200V 150A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Single Chopper
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 150A
パワー-最大 : 790W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.15V @ 15V, 150A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
入力容量(Cies)@ Vce : 9.3nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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