Infineon Technologies - FS150R12KT3BOSA1

KEY Part #: K6534174

FS150R12KT3BOSA1 価格設定(USD) [505個在庫]

  • 1 pcs$91.80400

品番:
FS150R12KT3BOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE 1200V 200A CHASS MNT.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS150R12KT3BOSA1 製品の属性

品番 : FS150R12KT3BOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE 1200V 200A CHASS MNT
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 200A
パワー-最大 : 700W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.15V @ 15V, 150A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : 10.5nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 125°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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