メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
構成 :
Three Level Inverter - IGBT, FET
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) :
1200V
Vce(on)(最大)@ Vge、IC :
2.2V @ 15V, 50A
入力容量(Cies)@ Vce :
2.77nF @ 25V
動作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)