Infineon Technologies - IFS150V12PT4BOSA1

KEY Part #: K6533715

IFS150V12PT4BOSA1 価格設定(USD) [205個在庫]

  • 1 pcs$224.33996

品番:
IFS150V12PT4BOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MODULE IPM MIPAQ-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-RF and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IFS150V12PT4BOSA1 electronic components. IFS150V12PT4BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IFS150V12PT4BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IFS150V12PT4BOSA1 製品の属性

品番 : IFS150V12PT4BOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MODULE IPM MIPAQ-3
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : -
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 150A
パワー-最大 : -
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.15V @ 15V, 150A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : -
入力容量(Cies)@ Vce : -
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 65°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GB75SA120UP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MODULE IGBT SOT-227.

  • VS-GB70NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 111A 447W SOT-227.

  • VS-GB75DA120UP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MODULE IGBT SOT-227.

  • VS-GB70LA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 111A 447W SOT-227.

  • VS-GB50LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 84A 431W SOT-227.