メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) :
600V
Vce(on)(最大)@ Vge、IC :
2.1V @ 15V, 10A
電流-コレクターのカットオフ(最大) :
250µA
入力容量(Cies)@ Vce :
2.1nF @ 30V
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
19-SIP (13 Leads), IMS-2