Infineon Technologies - FS35R12W1T4B11BOMA1

KEY Part #: K6534652

FS35R12W1T4B11BOMA1 価格設定(USD) [2416個在庫]

  • 1 pcs$17.91813

品番:
FS35R12W1T4B11BOMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOD IGBT LOW PWR EASY1B-2.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies FS35R12W1T4B11BOMA1 electronic components. FS35R12W1T4B11BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS35R12W1T4B11BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS35R12W1T4B11BOMA1 製品の属性

品番 : FS35R12W1T4B11BOMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOD IGBT LOW PWR EASY1B-2
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 65A
パワー-最大 : 225W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.25V @ 15V, 35A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
入力容量(Cies)@ Vce : 2nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV363M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.