Infineon Technologies - BSO612CVGHUMA1

KEY Part #: K6525342

BSO612CVGHUMA1 価格設定(USD) [210131個在庫]

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品番:
BSO612CVGHUMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BSO612CVGHUMA1 electronic components. BSO612CVGHUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSO612CVGHUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSO612CVGHUMA1 製品の属性

品番 : BSO612CVGHUMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
シリーズ : SIPMOS®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3A, 2A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 20µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15.5nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 340pF @ 25V
パワー-最大 : 2W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-DSO-8

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