[2717個在庫]
- 品番:
- HAT2299WP-EL-E
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH WPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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-
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America HAT2299WP-EL-E electronic components. HAT2299WP-EL-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HAT2299WP-EL-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HAT2299WP-EL-E 製品の属性
品番 :
HAT2299WP-EL-E
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH WPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
150V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
14A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
110 mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
710pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
25W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-WPAK
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
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