Vishay Siliconix - SI1029X-T1-GE3

KEY Part #: K6525169

SI1029X-T1-GE3 価格設定(USD) [471021個在庫]

  • 1 pcs$0.07853
  • 3,000 pcs$0.07418

品番:
SI1029X-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N/P-CH 60V SC89-6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI1029X-T1-GE3 electronic components. SI1029X-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1029X-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1029X-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI1029X-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 305mA, 190mA
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 0.75nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 30pF @ 25V
パワー-最大 : 250mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ : SC-89-6

あなたも興味があるかもしれません
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • IRF7509TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.

  • SI6913DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.

  • DMN2016UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.

  • SP8J5TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC.