Advanced Linear Devices Inc. - ALD212904SAL

KEY Part #: K6521938

ALD212904SAL 価格設定(USD) [28083個在庫]

  • 1 pcs$1.46753
  • 50 pcs$1.04517

品番:
ALD212904SAL
メーカー:
Advanced Linear Devices Inc.
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Advanced Linear Devices Inc. ALD212904SAL electronic components. ALD212904SAL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ALD212904SAL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ALD212904SAL 製品の属性

品番 : ALD212904SAL
メーカー : Advanced Linear Devices Inc.
説明 : MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
シリーズ : EPAD®, Zero Threshold™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 10.6V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80mA
Rds On(最大)@ Id、Vgs : -
Vgs(th)(最大)@ Id : 20mV @ 10µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
パワー-最大 : 500mW
動作温度 : 0°C ~ 70°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC

あなたも興味があるかもしれません
  • SI4808DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC.

  • SI4276DY-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO.

  • LN60A01ES-LF-Z

    Monolithic Power Systems Inc.

    MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC.

  • ALD110802SCL

    Advanced Linear Devices Inc.

    MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC.

  • ALD114813SCL

    Advanced Linear Devices Inc.

    MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC.

  • ALD210802SCL

    Advanced Linear Devices Inc.

    MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC.