Toshiba Semiconductor and Storage - TK40E10N1,S1X

KEY Part #: K6397868

TK40E10N1,S1X 価格設定(USD) [51668個在庫]

  • 1 pcs$0.83202
  • 50 pcs$0.67264
  • 100 pcs$0.60537
  • 500 pcs$0.47083
  • 1,000 pcs$0.39012

品番:
TK40E10N1,S1X
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N CH 100V 90A TO220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK40E10N1,S1X electronic components. TK40E10N1,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK40E10N1,S1X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK40E10N1,S1X 製品の属性

品番 : TK40E10N1,S1X
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N CH 100V 90A TO220
シリーズ : U-MOSVIII-H
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 90A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 500µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3000pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 126W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK380A60Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS.

  • TK72A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 72A TO-220.

  • TK14A65W5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220.