メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
9.7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 360µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
20nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
590pF @ 300V
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220SIS
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack