Toshiba Semiconductor and Storage - TK380A60Y,S4X

KEY Part #: K6397778

TK380A60Y,S4X 価格設定(USD) [66799個在庫]

  • 1 pcs$0.64387
  • 50 pcs$0.51510
  • 100 pcs$0.45071
  • 500 pcs$0.33064
  • 1,000 pcs$0.26103

品番:
TK380A60Y,S4X
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK380A60Y,S4X electronic components. TK380A60Y,S4X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK380A60Y,S4X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK380A60Y,S4X 製品の属性

品番 : TK380A60Y,S4X
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
シリーズ : DTMOSV
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9.7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 360µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 590pF @ 300V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 30W
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220SIS
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

あなたも興味があるかもしれません
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.