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- 品番:
- SPN02N60C3
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies SPN02N60C3 electronic components. SPN02N60C3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPN02N60C3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPN02N60C3 製品の属性
品番 :
SPN02N60C3
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
400mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.9V @ 80µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
200pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.8W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-SOT223-4
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
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