RSD175N10TL 価格設定（USD） [298599個在庫]
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- 品番:
- RSD175N10TL
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RSD175N10TL electronic components. RSD175N10TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RSD175N10TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RSD175N10TL 製品の属性
品番 :
RSD175N10TL
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
17.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
105 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
950pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
20W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
CPT3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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