TK50P03M1(T6RSS-Q) 価格設定（USD） [275630個在庫]
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- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK50P03M1(T6RSS-Q) electronic components. TK50P03M1(T6RSS-Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK50P03M1(T6RSS-Q), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK50P03M1(T6RSS-Q) 製品の属性
品番 :
TK50P03M1(T6RSS-Q)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3
シリーズ :
U-MOSVI-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
50A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.3V @ 200µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
25.3nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1700pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
47W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DP
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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