Diodes Incorporated - DMC3032LSD-13

KEY Part #: K6522946

DMC3032LSD-13 価格設定(USD) [490925個在庫]

  • 1 pcs$0.07534
  • 2,500 pcs$0.06743

品番:
DMC3032LSD-13
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMC3032LSD-13 electronic components. DMC3032LSD-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMC3032LSD-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMC3032LSD-13 製品の属性

品番 : DMC3032LSD-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8.1A, 7A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 32 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 9.2nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 404.5pF @ 15V
パワー-最大 : 2.5W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO

あなたも興味があるかもしれません
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • DMN2040LTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.

  • AO8801AL

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP.