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- 品番:
- IRF7309QTRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7309QTRPBF electronic components. IRF7309QTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7309QTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7309QTRPBF 製品の属性
品番 :
IRF7309QTRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A, 3A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
50 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
25nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
520pF @ 15V
パワー-最大 :
1.4W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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