ON Semiconductor - NVMFD5C462NLT1G

KEY Part #: K6521942

NVMFD5C462NLT1G 価格設定(USD) [139466個在庫]

  • 1 pcs$0.26521

品番:
NVMFD5C462NLT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NVMFD5C462NLT1G electronic components. NVMFD5C462NLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFD5C462NLT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFD5C462NLT1G 製品の属性

品番 : NVMFD5C462NLT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 18A (Ta), 84A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 40µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 11nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1300pF @ 25V
パワー-最大 : 3W (Ta), 50W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

あなたも興味があるかもしれません
  • SI4808DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC.

  • SI4276DY-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO.

  • LN60A01ES-LF-Z

    Monolithic Power Systems Inc.

    MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC.

  • ALD110802SCL

    Advanced Linear Devices Inc.

    MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC.

  • ALD114813SCL

    Advanced Linear Devices Inc.

    MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC.

  • ALD210802SCL

    Advanced Linear Devices Inc.

    MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC.