説明 :
GAN TRANS 150V 7MOHM BUMPED DIE
技術 :
GaNFET (Gallium Nitride)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
31A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
-
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.5V @ 9mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
10nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1140pF @ 75V