IXYS - IXFN32N80P

KEY Part #: K6395180

IXFN32N80P 価格設定(USD) [4815個在庫]

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品番:
IXFN32N80P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN32N80P 製品の属性

品番 : IXFN32N80P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
シリーズ : PolarHV™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 29A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 270 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 8mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 8820pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 625W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-227B
パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC