IXYS - IXFN32N80P

KEY Part #: K6395180

IXFN32N80P 価格設定(USD) [4815個在庫]

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品番:
IXFN32N80P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN32N80P 製品の属性

品番 : IXFN32N80P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
シリーズ : PolarHV™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 29A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 270 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 8mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 8820pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 625W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-227B
パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC