説明 :
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICROFET
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
5.7A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
30 mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
12nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
935pF @ 10V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-MicroFET (2x2)
パッケージ/ケース :
6-WDFN Exposed Pad