Infineon Technologies - IRF6613TRPBF

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IRF6613TRPBF 価格設定(USD) [102506個在庫]

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品番:
IRF6613TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6613TRPBF 製品の属性

品番 : IRF6613TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 23A (Ta), 150A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.4 mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.25V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 63nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5950pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DIRECTFET™ MT
パッケージ/ケース : DirectFET™ Isometric MT

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