Nexperia USA Inc. - PMN40UPE,115

KEY Part #: K6412523

[13416個在庫]


    品番:
    PMN40UPE,115
    メーカー:
    Nexperia USA Inc.
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Nexperia USA Inc. PMN40UPE,115 electronic components. PMN40UPE,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMN40UPE,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMN40UPE,115 製品の属性

    品番 : PMN40UPE,115
    メーカー : Nexperia USA Inc.
    説明 : MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.7A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 4.5V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 43 mOhm @ 3A, 4.5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 700mV @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 23nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±8V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1820pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 6-TSOP
    パッケージ/ケース : SC-74, SOT-457

    あなたも興味があるかもしれません
    • GP2M002A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.

    • IRFR4104TRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.

    • IRFR4104TRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.

    • IRFR7746PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK.

    • IRFR120ZTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.

    • FDD16AN08A0-F085

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 75V 50A DPAK.