ON Semiconductor - FDD16AN08A0-F085

KEY Part #: K6412496

[13426個在庫]


    品番:
    FDD16AN08A0-F085
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 75V 50A DPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDD16AN08A0-F085 製品の属性

    品番 : FDD16AN08A0-F085
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 75V 50A DPAK
    シリーズ : Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
    部品ステータス : Active
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 75V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9A (Ta), 50A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 16 mOhm @ 50A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 47nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1874pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 135W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252AA
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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