ON Semiconductor - FQD12N20LTM

KEY Part #: K6403519

FQD12N20LTM 価格設定(USD) [206612個在庫]

  • 1 pcs$0.17902
  • 2,500 pcs$0.16810

品番:
FQD12N20LTM
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FQD12N20LTM electronic components. FQD12N20LTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD12N20LTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD12N20LTM 製品の属性

品番 : FQD12N20LTM
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 21nC @ 5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1080pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 55W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません
  • MCU04N60-TP

    Micro Commercial Co

    N-CHANNELMOSFETSDPAK PACKAGE.

  • FQD18N20V2TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 15A DPAK.

  • FDD86567-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 100A DPAK.

  • MTD3055VL

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 12A DPAK.

  • FDD8896-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • FQD4N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 3A DPAK.