[4073個在庫]
- 品番:
- IRF9389PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF9389PBF electronic components. IRF9389PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF9389PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF9389PBF 製品の属性
品番 :
IRF9389PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.8A, 4.6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
27 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.3V @ 10µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
398pF @ 15V
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- GMM3X120-0075X2-SMDSAM
- DMN4031SSDQ-13
- APTM100VDA35T3G
- SI5515DC-T1-GE3
- SI4650DY-T1-E3
- PHKD3NQ10T,518
- FDPC1002S
- BSO4804HUMA2
- NTJD2152PT4
- RJM0603JSC-00#12
- UPA2373T1P-E4-A
- MP6K12TCR
- ECH8653-TL-H
- SI4967DY-T1-GE3
- SI4952DY-T1-E3
- SI1970DH-T1-GE3
- FDY3001NZ
- DMC3018LSD-13
- APTM50TDUM65PG
- SI1905DL-T1-E3
- SI1024X-T1-E3
- NTJD4401NT4
- MMDF2P02ER2G
- HUF76407DK8T
- ZXMD63P03XTC
- FDM3300NZ
- NTTD1P02R2G
- IRF7530PBF
- SP8K1TB
- NTTD1P02R2
- BSS8402DW-7
- IRF5810TR
- IRF9953TR
- NDS9957
- NDS9936
- NTMFD4C88NT3G
- IRFH7911TRPBF
- SIRB40DP-T1-GE3
- TPC8223-H,LQ(S
- IRFHM8363TRPBF