IXTX120P20T 価格設定（USD） [5303個在庫]
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- 30 pcs$8.98431
- 品番:
- IXTX120P20T
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTX120P20T electronic components. IXTX120P20T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTX120P20T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTX120P20T 製品の属性
品番 :
IXTX120P20T
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247
シリーズ :
TrenchP™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
120A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
30 mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
740nC @ 10V
Vgs（最大） :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
73000pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
-
動作温度 :
-
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PLUS247™-3
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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