DMTH10H025SK3-13 価格設定（USD） [321611個在庫]
- 1 pcs$0.11501
- 品番:
- DMTH10H025SK3-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET BVDSS 61V-100V TO252 TR.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMTH10H025SK3-13 electronic components. DMTH10H025SK3-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH10H025SK3-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMTH10H025SK3-13 製品の属性
品番 :
DMTH10H025SK3-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET BVDSS 61V-100V TO252 TR
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
46.3A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
23 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
21.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1544pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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