Texas Instruments - CSD86336Q3D

KEY Part #: K6522981

CSD86336Q3D 価格設定(USD) [127481個在庫]

  • 1 pcs$0.29014

品番:
CSD86336Q3D
メーカー:
Texas Instruments
詳細な説明:
25V POWERBLOCK N CH MOSFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD86336Q3D 製品の属性

品番 : CSD86336Q3D
メーカー : Texas Instruments
説明 : 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
シリーズ : NexFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 : Logic Level Gate, 5V Drive
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 25V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20A (Ta)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
パワー-最大 : 6W
動作温度 : -55°C ~ 125°C
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-VSON (3.3x3.3)

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