SSM6N815R,LF 価格設定（USD） [622023個在庫]
- 1 pcs$0.05946
- 品番:
- SSM6N815R,LF
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N815R,LF electronic components. SSM6N815R,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6N815R,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6N815R,LF 製品の属性
品番 :
SSM6N815R,LF
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
シリーズ :
U-MOSVIII-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate, 4V Drive
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2A (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
103 mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.1nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
290pF @ 15V
パワー-最大 :
1.8W (Ta)
動作温度 :
150°C
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-SMD, Flat Leads
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-TSOP-F
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- GMM3X120-0075X2-SMDSAM
- DMN4031SSDQ-13
- APTM100VDA35T3G
- SI5515DC-T1-GE3
- SI4650DY-T1-E3
- PHKD3NQ10T,518
- FDPC1002S
- BSO4804HUMA2
- NTJD2152PT4
- RJM0603JSC-00#12
- UPA2373T1P-E4-A
- MP6K12TCR
- ECH8653-TL-H
- SI4967DY-T1-GE3
- SI4952DY-T1-E3
- SI1970DH-T1-GE3
- FDY3001NZ
- DMC3018LSD-13
- APTM50TDUM65PG
- SI1905DL-T1-E3
- SI1024X-T1-E3
- NTJD4401NT4
- MMDF2P02ER2G
- HUF76407DK8T
- ZXMD63P03XTC
- FDM3300NZ
- NTTD1P02R2G
- IRF7530PBF
- SP8K1TB
- NTTD1P02R2
- BSS8402DW-7
- IRF5810TR
- IRF9953TR
- NDS9957
- NDS9936
- NTMFD4C88NT3G
- IRFH7911TRPBF
- SIRB40DP-T1-GE3
- TPC8223-H,LQ(S
- IRFHM8363TRPBF