説明 :
MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
54.8A (Ta), 219A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
1.04 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
150nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
7300pF @ 20V
消費電力(最大) :
6.25W (Ta), 100W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8