EPC - EPC2010C

KEY Part #: K6416785

EPC2010C 価格設定（USD） [25038個在庫]

1 pcs$1.81967
500 pcs$1.81062

品番:: EPC2010C

メーカー:: EPC

詳細な説明:: GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in EPC EPC2010C electronic components. EPC2010C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2010C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

EPC2010C 製品の属性

品番 : EPC2010C

メーカー : EPC

説明 : GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE

シリーズ : eGaN®

部品ステータス : Active

FETタイプ : N-Channel

技術 : GaNFET (Gallium Nitride)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 200V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 22A (Ta)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 5V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 25 mOhm @ 12A, 5V

Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 3mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 5.3nC @ 5V

Vgs（最大） : +6V, -4V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 540pF @ 100V

FET機能 : -

消費電力（最大） : -

動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

サプライヤーデバイスパッケージ : Die Outline (7-Solder Bar)

パッケージ/ケース : Die

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