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- 品番:
- IRF6665TR1PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF6665TR1PBF electronic components. IRF6665TR1PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6665TR1PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF6665TR1PBF 製品の属性
品番 :
IRF6665TR1PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.2A (Ta), 19A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
62 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
530pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.2W (Ta), 42W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DIRECTFET™ SH
パッケージ/ケース :
DirectFET™ Isometric SH
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