Vishay Siliconix - SIHP28N65EF-GE3

KEY Part #: K6416140

SIHP28N65EF-GE3 価格設定(USD) [12672個在庫]

  • 1 pcs$3.15100
  • 10 pcs$2.81299
  • 100 pcs$2.30658
  • 500 pcs$1.86775
  • 1,000 pcs$1.57521

品番:
SIHP28N65EF-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 28A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SIHP28N65EF-GE3 electronic components. SIHP28N65EF-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHP28N65EF-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHP28N65EF-GE3 製品の属性

品番 : SIHP28N65EF-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 650V 28A TO-220AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 28A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 117 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 146nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3249pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 250W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN4R5-40PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

  • SI3139K-TP

    Micro Commercial Co

    P-CHANNEL MOSFET SOT-723 PACKAG.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.