IXFX32N80P 価格設定（USD） [9891個在庫]
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- 30 pcs$4.58284
- 品番:
- IXFX32N80P
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFX32N80P electronic components. IXFX32N80P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX32N80P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFX32N80P 製品の属性
品番 :
IXFX32N80P
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
シリーズ :
HiPerFET™, PolarHT™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
32A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
270 mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 8mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
150nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
8800pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
830W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PLUS247™-3
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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