EPC - EPC2101ENGRT

KEY Part #: K6523299

EPC2101ENGRT 価格設定(USD) [19588個在庫]

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品番:
EPC2101ENGRT
メーカー:
EPC
詳細な説明:
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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We specialize in EPC EPC2101ENGRT electronic components. EPC2101ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2101ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2101ENGRT 製品の属性

品番 : EPC2101ENGRT
メーカー : EPC
説明 : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
シリーズ : eGaN®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 : GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9.5A, 38A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 2mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 2.7nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 300pF @ 30V
パワー-最大 : -
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : Die
サプライヤーデバイスパッケージ : Die
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