説明 :
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
FETタイプ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 :
GaNFET (Gallium Nitride)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
9.5A, 38A
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.5V @ 2mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
2.7nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
300pF @ 30V
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)