ALD110908ASAL 価格設定（USD） [19647個在庫]
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- 品番:
- ALD110908ASAL
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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ALD110908ASAL 製品の属性
品番 :
ALD110908ASAL
メーカー :
Advanced Linear Devices Inc.
説明 :
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
シリーズ :
EPAD®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
10.6V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12mA, 3mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
500 Ohm @ 4.8V
Vgs（th）（最大）@ Id :
810mV @ 1µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2.5pF @ 5V
パワー-最大 :
500mW
動作温度 :
0°C ~ 70°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
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