ON Semiconductor - FDB8030L

KEY Part #: K6401010

FDB8030L 価格設定(USD) [29869個在庫]

  • 1 pcs$1.38668
  • 800 pcs$1.37978

品番:
FDB8030L
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDB8030L electronic components. FDB8030L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB8030L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB8030L 製品の属性

品番 : FDB8030L
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 170nC @ 5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 10500pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 187W (Tc)
動作温度 : -65°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません