Central Semiconductor Corp - CTLDM7120-M621H TR

KEY Part #: K6416234

CTLDM7120-M621H TR 価格設定(USD) [34506個在庫]

  • 3,000 pcs$0.12490

品番:
CTLDM7120-M621H TR
メーカー:
Central Semiconductor Corp
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 1A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CTLDM7120-M621H TR 製品の属性

品番 : CTLDM7120-M621H TR
メーカー : Central Semiconductor Corp
説明 : MOSFET N-CH 20V 1A
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.2V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 2.4nC @ 4.5V
Vgs(最大) : 8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 220pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.6W (Ta)
動作温度 : -65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TLM621H
パッケージ/ケース : 6-XFDFN Exposed Pad
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