IXYS - IXFK200N10P

KEY Part #: K6395274

IXFK200N10P 価格設定(USD) [10089個在庫]

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品番:
IXFK200N10P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFK200N10P 製品の属性

品番 : IXFK200N10P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
シリーズ : HiPerFET™, PolarP2™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 200A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 7.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 8mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 235nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 7600pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 830W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-264AA (IXFK)
パッケージ/ケース : TO-264-3, TO-264AA