SI7900AEDN-T1-GE3 価格設定（USD） [167720個在庫]
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- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 競争上の優位性:
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SI7900AEDN-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI7900AEDN-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
900mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
16nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
1.5W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® 1212-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® 1212-8 Dual
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