ON Semiconductor - NVHL072N65S3

KEY Part #: K6416124

NVHL072N65S3 価格設定(USD) [12486個在庫]

  • 1 pcs$3.30084

品番:
NVHL072N65S3
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
SUPERFET3 650V TO247 PKG.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的 and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NVHL072N65S3 electronic components. NVHL072N65S3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVHL072N65S3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVHL072N65S3 製品の属性

品番 : NVHL072N65S3
メーカー : ON Semiconductor
説明 : SUPERFET3 650V TO247 PKG
シリーズ : *
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 44A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 72 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3300pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 312W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247-3
パッケージ/ケース : TO-247-3 Variant

あなたも興味があるかもしれません
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN4R5-40PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

  • SI3139K-TP

    Micro Commercial Co

    P-CHANNEL MOSFET SOT-723 PACKAG.