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- 品番:
- NTD18N06L-001
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 18A IPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTD18N06L-001 electronic components. NTD18N06L-001 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD18N06L-001, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTD18N06L-001 製品の属性
品番 :
NTD18N06L-001
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
18A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
65 mOhm @ 9A, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
22nC @ 5V
Vgs（最大） :
±15V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
675pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.1W (Ta), 55W (Tj)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I-PAK
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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