[489個在庫]
- 品番:
- IXTA110N055T
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 110A TO-263.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTA110N055T electronic components. IXTA110N055T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA110N055T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTA110N055T 製品の属性
品番 :
IXTA110N055T
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
シリーズ :
TrenchMV™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
110A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
67nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3080pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
230W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263 (IXTA)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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