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- 品番:
- IXCY01N90E
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXCY01N90E electronic components. IXCY01N90E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXCY01N90E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXCY01N90E 製品の属性
品番 :
IXCY01N90E
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
900V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
250mA (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
80 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 25µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
133pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
40W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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