TK65S04N1L,LQ 価格設定（USD） [114189個在庫]
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- 品番:
- TK65S04N1L,LQ
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 65A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK65S04N1L,LQ electronic components. TK65S04N1L,LQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK65S04N1L,LQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK65S04N1L,LQ 製品の属性
品番 :
TK65S04N1L,LQ
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
シリーズ :
U-MOSVIII-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
65A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.3 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 300µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2550pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
107W (Tc)
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK+
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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